BSS83PH6327XT

产品描述

MOSFET SIPMOS Small Signal Transistor

内部编号

生产厂商

数量:10729

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美国加州
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规格书
RoHS	RoHS Compliant
晶体管极性	P-Channel
漏源击穿电压	- 60 V
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	- 330 mA
抗漏源极RDS （ ON）	2 Ohms at -4.5 V
配置	Single
最高工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT
封装/外壳	PG-SOT-23
封装	Reel
下降时间	64 ns
栅极电荷Qg	2.38 nC
最低工作温度	- 55 C
功率耗散	360 mW
上升时间	71 ns
典型关闭延迟时间	56 ns
零件号别名	BSS83P BSS83PH6327XTSA1 H6327
寿命	New Product: New from this manufacturer.
系列	BSS83
RDS（ON）	2 Ohms
工厂包装数量	3000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	- 60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	- 2 V
宽度	1.3 mm
Qg - Gate Charge	3.57 nC
Vgs - Gate-Source Voltage	+/- 20 V
产品	MOSFET Small Signal
品牌	Infineon Technologies
通道数	1 Channel
晶体管类型	1 P-Channel
正向跨导 - 闵	240 mS
Id - Continuous Drain Current	- 330 mA
长度	2.9 mm
Rds On - Drain-Source Resistance	1.4 Ohms
通道模式	Enhancement
身高	1.1 mm
典型导通延迟时间	23 ns
Pd - Power Dissipation	360 mW
技术	Si

型号	厂家	产品描述
BSS83PH6327XTSA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R
BSS83PH6327	infineon technologies	Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R
BSS83,215	nxp semiconductors	Trans MOSFET N-CH 10V 0.05A 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
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BSS83P H6327	Infineon Technologies	MOSFET P-KANAL
BSS83P L6327	infineon technologies	Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R
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